Краткие характеристики | Тип: внутренний Емкость: 1000 ГБ Форм фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCIe 3.0 x4, NVMe 1.3 Контроллер: Samsung Phoenix Тип NAND памяти: V-nand /3-bit MLC Внешняя скорость записи: 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи Внешняя скорость считывания: 3500 Мб/сек /*Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс Наработка на отказ: 1.5 млн. ч Рабочая температура: 0°C до 70°C Скорость чтения до: 19000 IOPS Випадкове зчитування (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи Скорость записи до: 60000 IOPS ипадковий запис (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи Рабочее напряжение: 3.3 В температура Поддержка Trim: да Аппаратное шифрование: 256-розрядне Поддержка SMART: да Поддержка режима сна: да GC (сборка мусора): да Ширина: 140 мм Высота: 20 мм Длина: 100 мм Вес: 0.10 кг Объем: 0.0003 м3 |
Краткие характеристики | Тип (SSD накопичувачі): внутрішній Інтерфейс (SSD накопичувачі): PCI-Express Форм-фактор (SSD накопичувачі): M.2 Тип флеш-пам'яті (SSD накопичувачі): V-NAND Об'єм, ГБ (SSD накопичувачі): 1 000 Максимальна швидкість читання, МБ/с (SSD накопичувачі): 3 500 Максимальна швидкість запису, МБ/с (SSD накопичувачі): 3 300 |
Быстродействие и надежнось | |
---|---|
Стойкость к ударам | нет |