Тип: внутренний
Емкость: 1000 ГБ
Форм фактор: M.2 2280
Интерфейс: PCIe 3.0 x4, NVMe 1.3
Контроллер: Samsung Phoenix
Тип NAND памяти: V-nand /3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 3300 Мб/сек
*Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи
Внешняя скорость считывания: 3500 Мб/сек /*Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи
Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость чтения до: 19000 IOPS
Випадкове зчитування (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи
Скорость записи до: 60000 IOPS
ипадковий запис (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи
Рабочее напряжение: 3.3 В
температура
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование:
256-розрядне
Поддержка SMART: да
Поддержка режима сна: да
GC (сборка мусора): да
Ширина: 140 мм
Высота: 20 мм
Длина: 100 мм
Вес: 0.10 кг
Объем: 0.0003 м
3
Показать все характеристики...