Твердотельный накопитель SSD NVMe Samsung 983DCT Enterprise 1.9TB (MZ-QLB1T9NE)

Код товара: 3207823
• Нет в наличии 0 отзывов
Сообщить о наличии

Характеристики

Краткие характеристикиТип: внутренний
Емкость: 1900 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.2b
Тип NAND памяти: V-nand /3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 1900 Мб/сек *Робочі характеристики можуть змінюватися в залежності від конфігурації комп'ютерної системи і тестового ПЗ
Внешняя скорость считывания: 3000 Мб/сек /* Рабочие характеристики могут меняться в зависимости от конфигурации компьютерной системы и тестового ПО
Наработка на отказ: 2 млн. ч
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: 256-bit
Вес накопителя: 70 г *Фактична вага продукту може залежати від ємності накопичувача
Тип: внутренний
Емкость: 1900 ГБ
Форм фактор: 2.5"
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.2b
Контроллер: Samsung Phoenix
Тип NAND памяти: V-nand /3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 1900 Мб/сек *Робочі характеристики можуть змінюватися в залежності від конфігурації комп'ютерної системи і тестового ПЗ
Внешняя скорость считывания: 3000 Мб/сек /* Рабочие характеристики могут меняться в зависимости от конфигурации компьютерной системы и тестового ПО
Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс
Наработка на отказ: 2 млн. ч
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость чтения до: 540000 IOPS
Скорость записи до: 50000 IOPS
Рабочее напряжение: 12 В ± 8%
Высота 7 мм: да
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: 256-bit
Поддержка SMART: да
GC (сборка мусора): да
Вес накопителя: 70 г *Фактична вага продукту може залежати від ємності накопичувача
Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100.2 x 69.85 x 6.8 мм
Ширина: 140 мм
Высота: 100 мм
Длина: 20 мм
Вес: 0.10 кг
Объем: 0.0003 м3
Краткие характеристикиТип: внутренний
Емкость: 1900 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.2b
Тип NAND памяти: V-nand /3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 1900 Мб/сек *Робочі характеристики можуть змінюватися в залежності від конфігурації комп'ютерної системи і тестового ПЗ
Внешняя скорость считывания: 3000 Мб/сек /* Рабочие характеристики могут меняться в зависимости от конфигурации компьютерной системы и тестового ПО
Наработка на отказ: 2 млн. ч
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: 256-bit
Вес накопителя: 70 г *Фактична вага продукту може залежати від ємності накопичувача
Тип: внутренний
Емкость: 1900 ГБ
Форм фактор: 2.5"
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.2b
Контроллер: Samsung Phoenix
Тип NAND памяти: V-nand /3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 1900 Мб/сек *Робочі характеристики можуть змінюватися в залежності від конфігурації комп'ютерної системи і тестового ПЗ
Внешняя скорость считывания: 3000 Мб/сек /* Рабочие характеристики могут меняться в зависимости от конфигурации компьютерной системы и тестового ПО
Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс
Наработка на отказ: 2 млн. ч
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость чтения до: 540000 IOPS
Скорость записи до: 50000 IOPS
Рабочее напряжение: 12 В ± 8%
Высота 7 мм: да
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: 256-bit
Поддержка SMART: да
GC (сборка мусора): да
Вес накопителя: 70 г *Фактична вага продукту може залежати від ємності накопичувача
Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100.2 x 69.85 x 6.8 мм
Ширина: 140 мм
Высота: 100 мм
Длина: 20 мм
Вес: 0.10 кг
Объем: 0.0003 м3