Краткие характеристики | Тип: внутренний Емкость: 500 ГБ Форм фактор: M.2 /2280 Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 Тип NAND памяти: 3D NAND Внешняя скорость записи: 2000 Мб/сек Внешняя скорость считывания: 2200 Мб/сек Наработка на отказ: 2 млн. ч Энергопотребление при простое: 0.015 Вт Энергопотребление (типичное) при чтении: 0.5 Вт макс. Энергопотребление (типичное) при записи: 0.1 Вт макс. Температура хранения: -40°C до 85°C Рабочая температура: 0°C до 70°C Скорость чтения до: 220000 IOPS Скорость записи до: 240000 IOPS Особенности: поддержка eDrive Аппаратное шифрование: AES 256-bit Вес накопителя: 6.8 г Размеры без упаковки (ШхГхТ): 80 x 22 x 3.5 мм Ширина: 130 мм Высота: 10 мм Длина: 180 мм Вес: 0.03 кг Объем: 0.0002 м3 |
Краткие характеристики | Тип: внутренний Емкость: 500 ГБ Форм фактор: M.2 /2280 Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 Тип NAND памяти: 3D NAND Внешняя скорость записи: 2000 Мб/сек Внешняя скорость считывания: 2200 Мб/сек Наработка на отказ: 2 млн. ч Энергопотребление при простое: 0.015 Вт Энергопотребление (типичное) при чтении: 0.5 Вт макс. Энергопотребление (типичное) при записи: 0.1 Вт макс. Температура хранения: -40°C до 85°C Рабочая температура: 0°C до 70°C Скорость чтения до: 220000 IOPS Скорость записи до: 240000 IOPS Особенности: поддержка eDrive Аппаратное шифрование: AES 256-bit Вес накопителя: 6.8 г Размеры без упаковки (ШхГхТ): 80 x 22 x 3.5 мм Ширина: 130 мм Высота: 10 мм Длина: 180 мм Вес: 0.03 кг Объем: 0.0002 м3 |