Краткие характеристики | Тип: внутренний Емкость: 512 ГБ Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 Тип NAND памяти: 3D QLC Внешняя скорость записи: 1000 Мб/сек (в пределах) Внешняя скорость считывания: 1500 Мб/сек /(в пределах) Наработка на отказ: 1.6 млн. ч Аппаратное шифрование: AES 256 bit Тип: внутренний Емкость: 512 ГБ Форм фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 Тип NAND памяти: 3D QLC Внешняя скорость записи: 1000 Мб/сек (в пределах) Внешняя скорость считывания: 1500 Мб/сек /(в пределах) Наработка на отказ: 1.6 млн. ч Энергопотребление при простое: 0.04 Вт Энергопотребление (типичное) при чтении: 0.1 Вт Энергопотребление (типичное) при записи: 0.1 Вт Рабочая температура: 0°C до 70°C Скорость чтения до: 90000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах) Скорость записи до: 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах) Аппаратное шифрование: AES 256 bit Ширина: 160 мм Высота: 20 мм Длина: 120 мм Вес: 0.11 кг Объем: 0.0004 м3 |
Краткие характеристики | Тип: внутренний Емкость: 512 ГБ Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 Тип NAND памяти: 3D QLC Внешняя скорость записи: 1000 Мб/сек (в пределах) Внешняя скорость считывания: 1500 Мб/сек /(в пределах) Наработка на отказ: 1.6 млн. ч Аппаратное шифрование: AES 256 bit Тип: внутренний Емкость: 512 ГБ Форм фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 Тип NAND памяти: 3D QLC Внешняя скорость записи: 1000 Мб/сек (в пределах) Внешняя скорость считывания: 1500 Мб/сек /(в пределах) Наработка на отказ: 1.6 млн. ч Энергопотребление при простое: 0.04 Вт Энергопотребление (типичное) при чтении: 0.1 Вт Энергопотребление (типичное) при записи: 0.1 Вт Рабочая температура: 0°C до 70°C Скорость чтения до: 90000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах) Скорость записи до: 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах) Аппаратное шифрование: AES 256 bit Ширина: 160 мм Высота: 20 мм Длина: 120 мм Вес: 0.11 кг Объем: 0.0004 м3 |