Краткие характеристики | Схема таймингов памяти: CL19 Напряжение питания: 1.2 V Количество планок: 1 Производитель: GOODRAM Буферизация: Небуферизированная (Unbuffered) Объем памяти: 8 ГБ Тип памяти: DDR4 Частота памяти: 2666 МГц Проверка и коррекция ошибок (ECC): Нет (non-ECC) Охлаждение: нет |
Краткие характеристики | Схема таймингов памяти: CL19 Напряжение питания: 1.2 V Количество планок: 1 Производитель: GOODRAM Буферизация: Небуферизированная (Unbuffered) Объем памяти: 8 ГБ Тип памяти: DDR4 Частота памяти: 2666 МГц Проверка и коррекция ошибок (ECC): Нет (non-ECC) Охлаждение: нет |