Краткие характеристики | Тип: внутренний Емкость: 1000 ГБ Интерфейс: PCIe Gen 4.0x4 Тип NAND памяти: 3D NAND Внешняя скорость записи: 3200 Мб/сек * Внешняя скорость считывания: 3900 МБ/с /CDM Наработка на отказ: 2 млн. ч Аппаратное шифрование: 256-bit Вес накопителя: 10 г Тип: внутренний Емкость: 1000 ГБ Форм фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCIe Gen 4.0x4 Тип NAND памяти: 3D NAND Внешняя скорость записи: 3200 Мб/сек * Внешняя скорость считывания: 3900 МБ/с /CDM Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс Наработка на отказ: 2 млн. ч Температура хранения: -40°C до 85°C Рабочая температура: 0°C до 70°C Скорость чтения до: 380000 IOPS Скорость записи до: 540000 IOPS Аппаратное шифрование: 256-bit Вес накопителя: 10 г Размеры без упаковки (ШхГхТ): 80x22x4.3 мм Ширина: 130 мм Высота: 20 мм Длина: 100 мм Вес: 0.03 кг Объем: 0.0003 м3 |
Краткие характеристики | Тип: внутренний Емкость: 1000 ГБ Интерфейс: PCIe Gen 4.0x4 Тип NAND памяти: 3D NAND Внешняя скорость записи: 3200 Мб/сек * Внешняя скорость считывания: 3900 МБ/с /CDM Наработка на отказ: 2 млн. ч Аппаратное шифрование: 256-bit Вес накопителя: 10 г Тип: внутренний Емкость: 1000 ГБ Форм фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCIe Gen 4.0x4 Тип NAND памяти: 3D NAND Внешняя скорость записи: 3200 Мб/сек * Внешняя скорость считывания: 3900 МБ/с /CDM Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс Наработка на отказ: 2 млн. ч Температура хранения: -40°C до 85°C Рабочая температура: 0°C до 70°C Скорость чтения до: 380000 IOPS Скорость записи до: 540000 IOPS Аппаратное шифрование: 256-bit Вес накопителя: 10 г Размеры без упаковки (ШхГхТ): 80x22x4.3 мм Ширина: 130 мм Высота: 20 мм Длина: 100 мм Вес: 0.03 кг Объем: 0.0003 м3 |