Тип: внутренний
Емкость: 250 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.4
Тип NAND памяти: V-NAND 3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 1300 Мб/сек
Внешняя скорость считывания: 2900 Мб/с
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч /MTBF
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование:
AES 256-розрядне шифрування (клас 0), TCG / Opal, IEEE1667 (зашифрований диск)
Вес накопителя: 8 г
Тип: внутренний
Емкость: 250 ГБ
Форм фактор: M.2 2280
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.4
Контроллер: Samsung Pablo Controller
Тип NAND памяти: V-NAND 3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 1300 Мб/сек
Внешняя скорость считывания: 2900 Мб/с
Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс /напівсинусоїда
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч /MTBF
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Рабочее напряжение: 3.3 В
± 5 %
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование:
AES 256-розрядне шифрування (клас 0), TCG / Opal, IEEE1667 (зашифрований диск)
Поддержка SMART: да
Поддержка режима сна: да
GC (сборка мусора):
Алгоритм автоматичного збирання сміття
Вес накопителя: 8 г
Размеры без упаковки (ШхГхТ): 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Ширина: 100 мм
Высота: 20 мм
Длина: 140 мм
Вес: 0.09 кг
Объем: 0.0003 м3
Показать все характеристики...