Накопитель SSD A-Data M.2 512Gb SU800 (ASU800NS38-512GT-C)

Тип: внутренний
Объём: 512 ГБ
Форм-фактор: M.2
Тип подключения: M.2
Ключ (для M.2): B M
Интерфейс (пропускная способность): SATA-3 (до 6 Гбит/с)
Тип флеш-памяти: 3D TLC
Контроллер: SMI SM2258
Скорость записи: 520 МБ/с
Скорость чтения: 560 МБ/c
Крепеж для установки в отсек 3.5": нет
Утолщающая рамка для установки в отсек 2.5": нет
Степень защиты корпуса: нет
Габариты (ШхВхГ): 22x80x3,5 мм
Вес: 8 г
Дополнительно: Благодаря использованию флэш-памяти 3D NAND и высокоскоростного контроллера SMI, компактный твердотельный накопитель Ultimate SU800 M.2 2280 в значительной степени повышает производительность, эффективность и надежность работы по сравнению с традиционными накопителями с памятью 2D NAND. Накопитель также поддерживает интеллектуальную технологию SLC-кэширования и кэш-буфер DRAM для ускорения процессов чтения/записи. Благодаря механизму коррекции ошибок LDPC ECC и таким технологиям, как высокий показатель TBW (суммарное число записываемых байтов) и DEVSLP (спящий режим устройства), накопитель SU800 M.2 2280 моментально повышает стабильность работы, срок службы и производительность ноутбука или настольного ПК. , , Новейший механизм коррекции ошибок LDPC ECC , Благодаря использованию кода коррекции ошибок с контролем четности с низкой плотностью, накопитель SU800 M.2 2280 значительно снижает количество ошибок при передаче информации, и в равной степени повышает ее целостность. Таким образом, накопитель защищает ваши ценные данные от повреждений на более высоком уровне, чем SSD-накопители без механизма ECC или даже SSD-накопители, в которых используется базовый механизм коррекции ошибок BCH. , , Механизм RAID и формирование данных для максимальной защиты, Поддержка эффективного механизма RAID и формирования данных позволяет SU800 M.2 2280 гарантировать целостность данных и увеличить срок эксплуатации SSD-накопителя с целью обеспечить долговременную стабильность его работы и высокую рентабельность вложенных средств. , , Интеллектуальная технология SLC-кэширования и кэш-буфер DRAM , Интеллектуальный алгоритм SLC-кэширования позволяет используемой флэш-памяти NAND эффективно работать в SLC-режиме с существенным повышением скоростей чтения/записи данных. Кроме того, благодаря поддержке кэш-буфера DRAM характеристики чтения/записи могут быть в два раза выше по сравнению с твердотельными накопителями, не имеющими кэша DRAM, т.е. не способными использовать дополнительную память в качестве буфера SSD для выполнения задач на высоких скоростях.