Производитель: Samsung
Объем памяти: 4 ГБ
Тип памяти: SODIMM DDR3
Частота памяти: 1600 МГц
Эффективная пропускная способность: 12800
Буферизация: Небуферизированная (Unbuffered)
Класс: Обычная
Напряжение питания: 1.5 В
Схема таймингов памяти: CL11
Радиаторы на планках: Нет
Количество планок: 1
Назначение: Для ноутбуков
Проверка и коррекция ошибок (ECC): Нет (non-ECC)
Показать все характеристики...