Модуль памяти Samsung 3RD DDR3 8GB DDR1866
Код товара: 1283585
• Нет в наличии
0 отзывов
0 отзывовСообщить о наличии
Краткие характеристики
Тип памяти: DDR3
Объем памяти: 8 ГБ
Частота памяти: 1866 МГц
Тайминги: CL11
Радиатор: нет
Объем памяти: 8 ГБ
Частота памяти: 1866 МГц
Тайминги: CL11
Радиатор: нет
Описание Модуль памяти Samsung 3RD DDR3 8GB DDR1866
Модуль памяти Samsung 3RD DDR3 8GB DDR1866 работает с тактовой частотой 1866MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. Samsung 3RD - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Модуль памяти Samsung 3RD - имеет параметр CL11-, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 12800 МБ/с), сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти Samsung 3RD - имеет параметр CL11-, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 12800 МБ/с), сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.