Модуль памяти для ноутбука A-Data SoDIMM DDR3 8GB 1333 MHz (AD3S1333W8G9-S)

Код товара: 1671803
Нет в наличии 0 отзывов
Сообщить о наличии

Краткие характеристики

Производитель: ADATA
Модель: SoDIMM DDR3 8GB 1333 MHz
Артикул: AD3S1333W8G9-S
Тип памяти: DDR3
Объем памяти: 8 GB
Количество модулей в наборе: 1
Стандарты памяти: PC3-10600
Частота памяти: 1333 MHz
Тайминги: CL9
Напряжение: 1.5V
Проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC
Буферизация: unbuffered
Охлаждение: нет
Примечание: Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Страна производства: Тайвань

Описание Модуль памяти для ноутбука A-Data SoDIMM DDR3 8GB 1333 MHz (AD3S1333W8G9-S)

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 8GB 1333 MHz A-DATA (AD3S1333W8G9-S)

Оперативная память – одна из важнейших деталей Вашего компьютера. Память поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи. Память обеспечит Вам быструю результативную работу за компьютером и комфортный отдых!

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 8GB 1333 MHz A-DATA   - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность ,
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 8GB 1333 MHz A-DATA (AD3S1333W8G9-S) создан на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти, DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.