Оперативная память Hynix DDR3 2 ГБ 1333 МГц HMT325U6CFR8C-H9N0
Код товара: 1356597
• Нет в наличии
0 отзывов
0 отзывовСообщить о наличии
Краткие характеристики
Производитель: Hynix
Модель: DDR3 2GB 1600 MHz
Артикул: HMT325U6EFR8C-PBN0 / HMT325U6CFR8C/-PBN0
Тип памяти: DDR3
Объем памяти: 2 GB
Количество модулей в наборе: 1
Частота памяти: 1600 MHz
Тайминги: CL11
Напряжение: 1.5 V
Охлаждение: нет
Примечание: Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Страна производства: Южная Корея
Модель: DDR3 2GB 1600 MHz
Артикул: HMT325U6EFR8C-PBN0 / HMT325U6CFR8C/-PBN0
Тип памяти: DDR3
Объем памяти: 2 GB
Количество модулей в наборе: 1
Частота памяти: 1600 MHz
Тайминги: CL11
Напряжение: 1.5 V
Охлаждение: нет
Примечание: Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Страна производства: Южная Корея
Описание Оперативная память Hynix DDR3 2 ГБ 1333 МГц HMT325U6CFR8C-H9N0
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Модуль памяти DDR3 2048Mb Hynix (HMT325U6CFR8C-PBN0 AA) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR3 2048Mb Hynix (HMT325U6CFR8C-PBN0 AA) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.