Память Goodram DDR 512Mb 400MHz (GR400D64L3/512)

DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.

Модуль памяти DDR SDRAM 512Mb GOODRAM имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

Модуль памяти DDR SDRAM 512Mb GOODRAM - работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.

DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.

Модуль памяти DDR SDRAM 512Mb GOODRAM (GR400D64L3/512) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

Модуль памяти DDR SDRAM 512Mb GOODRAM (GR400D64L3/512) - работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.